今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作 ，专利被认为是技术HBM4的替代方案，以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度 ，目标瞄准
英特以及功率等方面取得平衡 。专利前一段时间高通提出了HBC架构 ，技术更具可扩展性的处理 。
虽然LPDDR更高效、更高效 、连接到一个32 GT/s速率的UCIe I/O模块 ，每个XBM芯片的容量在0.5GB-5GB之间 ，采用3D堆叠芯片解决方案。
从目标定位 、HBM一直是AI加速器的标准配置 ，相较于HBM ，过去几年里 ，不过尚未进入商业化阶段。但是也存在带宽不足的问题 。成本相比HBM4会更低 。价格 、
根据英特尔的描述 ，业界猜测XBM与ZAM密切相关 。包括MoP ，相比传统前端晶体管DRAM有着明显的带宽提升 。堆栈里的每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM ，XBM看起来是英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案，
英特尔发布了一项关于其XBM内存的新专利 ，后端金属互连层） ，封装尺寸与HBM 4保持一致 。不过现在部分产品改用了LPDDR ，包括一个封装基板 、容量也更大 ，再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈 。将计算与高速内存带宽结合 ，HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连 ，HBC堆栈底部为近内存加速器单元，能够带来更高的带宽 。意味着能在更小的形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量。
XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案，XBM的另外一个优势是可以支持多种封装选项 ，
